MOSFET Infineon, canale P, 25 mΩ, 10,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 826-8835
Codice costruttore:: IRF7240TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 25 mΩ, 10,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1pz in confezione da 10**

1,128 €

(IVA esclusa)

1,376 €

(IVA inclusa)

20 In consegna il giorno lavorativo successivo per ordini pervenuti entro le 19:00 (magazzino in Italia)*

1890 Entro 3 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa).

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
10 - 40	1,128 €	11,28 €
50 - 90	1,072 €	10,72 €
100 - 240	1,027 €	10,27 €
250 - 490	0,981 €	9,81 €
500 +	0,914 €	9,14 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 826-8835
Codice costruttore:: IRF7240TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7240TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	10,5 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	25 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	73 nC a 10 V
Larghezza	4mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET Infineon, canale P, 25 mΩ, 10,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET di potenza a canale P da 40V a 55V, Infineon

Link consigliati