MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 25 mΩ Miglioramento, 10.5 A, 8 Pin, SOIC, Superficie IRF7240TRPBF

Codice RS:: 826-8835
Codice costruttore:: IRF7240TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 25 mΩ Miglioramento, 10.5 A, 8 Pin, SOIC, Superficie IRF7240TRPBF

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Codice RS:: 826-8835
Codice costruttore:: IRF7240TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	10.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Serie	HEXFET
	Tipo di package	SOIC
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	25mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.5W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	73nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.5mm
	Larghezza	4mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	5mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 10.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Serie HEXFET
	Tipo di package SOIC
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 25mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 73nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.5mm
	Larghezza 4mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 5mm
	Standard automobilistico No

MOSFET Infineon serie HEXFET, 10,5 A di corrente continua massima di drenaggio, 40 V di tensione massima di sorgente di drenaggio - IRF7240TRPBF

Questo MOSFET a canale P eccelle nelle soluzioni di gestione dell'alimentazione. Con una corrente di drenaggio continua massima di 10,5A e una tensione di drenaggio-sorgente di 40V, è progettato per il montaggio in superficie in un package SOIC compatto. Con una lunghezza di 5 mm, una larghezza di 4 mm e un'altezza di 1,5 mm, è adatto a varie applicazioni elettroniche, compresi i sistemi di gestione delle batterie.

Caratteristiche e vantaggi

• Supporta carichi di corrente elevati, fino a 10,5 A, ideali per le attività più impegnative

• Funziona efficacemente in modalità di potenziamento per un controllo migliore

• Progettato per le prestazioni termiche con un leadframe personalizzato

• Adatto a più applicazioni, per risparmiare spazio a bordo

• Compatibile con i processi di saldatura standard, come quelli a infrarossi e a onda

Applicazioni

• Utilizzato nei sistemi di gestione delle batterie per il monitoraggio delle prestazioni

• Utilizzato nei circuiti di gestione del carico che richiedono una manipolazione efficiente della potenza

• Adatto al settore automobilistico dove spazio ed efficienza sono fondamentali

• Integrato negli alimentatori per una gestione affidabile del carico

Quali sono le caratteristiche termiche principali di questo dispositivo?

Il dispositivo presenta caratteristiche termiche migliorate grazie al design personalizzato del leadframe, che gli consente di operare comodamente in un intervallo di temperature di giunzione compreso tra -55°C e +150°C.

Qual è l'impatto della resistenza di accensione sulle prestazioni complessive?

Con una Rds(on) eccezionalmente bassa, pari a soli 25mΩ, questo MOSFET riduce significativamente le perdite di potenza durante il funzionamento, aumentando l'efficienza dei circuiti di potenza e migliorando la dissipazione del calore.

Può essere utilizzato in applicazioni ad alta frequenza?

Sì, i parametri del dispositivo, come la carica di gate tipica di 73 nC a 10 V, consentono un funzionamento efficace in applicazioni ad alta frequenza, rendendolo adatto a vari dispositivi elettronici.

Che cosa si deve considerare per un uso ottimale nei circuiti?

È essenziale garantire che la tensione gate-source rimanga entro i limiti massimi di ±20V per evitare danni, mantenendo così l'affidabilità e le prestazioni del dispositivo nell'applicazione.