MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 12 V, 20 mΩ Miglioramento, 160 mA, 8 Pin, SOIC, Superficie
- Codice RS:
- 246-6844
- Codice costruttore:
- DMP65H20D0HSS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,405 € | 1.620,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 246-6844
- Codice costruttore:
- DMP65H20D0HSS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 160mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 12V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 20mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.73W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 3.85mm | |
| Altezza | 1.45mm | |
| Lunghezza | 4.9mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 160mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 12V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.73W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 3.85mm | ||
Altezza 1.45mm | ||
Lunghezza 4.9mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET DiodesZetex è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SO-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 600 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±30 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo. Ha un valore nominale BVDSS elevato per l'applicazione di potenza. Offre una bassa capacità di ingresso
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