MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 12 V, 20 mΩ Miglioramento, 160 mA, 8 Pin, SOIC, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

1552,00 €

(IVA esclusa)

1892,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 31 dicembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
4000 +0,388 €1.552,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
246-6844
Codice costruttore:
DMP65H20D0HSS-13
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

160mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.73W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.45mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.85 mm

Lunghezza

4.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET DiodesZetex è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SO-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 600 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±30 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo. Ha un valore nominale BVDSS elevato per l'applicazione di potenza. Offre una bassa capacità di ingresso

Link consigliati