MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 12 V, 20 mΩ Miglioramento, 160 mA, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Codice RS:
246-6844
Codice costruttore:
DMP65H20D0HSS-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

160mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.73W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.45mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.85 mm

Lunghezza

4.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET DiodesZetex è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SO-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 600 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±30 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo. Ha un valore nominale BVDSS elevato per l'applicazione di potenza. Offre una bassa capacità di ingresso

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