MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 12 V, 41 mΩ Miglioramento, 10.7 A, 8 Pin, SOIC, Superficie DMP65H13D0HSS-13

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
246-7533
Codice costruttore:
DMP65H13D0HSS-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

10.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Tipo di package

SOIC

Serie

DMP65H

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.73W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

6mm

Larghezza

1.45 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

4.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il DiodesZetex produce MOSFET progettati per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SO-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 600 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±30 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo. Ha un valore nominale BVDSS elevato per l'applicazione di potenza. Offre una bassa capacità di ingresso

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