MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 12 V, 41 mΩ Miglioramento, 10.7 A, 8 Pin, SOIC, Superficie DMP65H13D0HSS-13
- Codice RS:
- 246-7533
- Codice costruttore:
- DMP65H13D0HSS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 246-7533
- Codice costruttore:
- DMP65H13D0HSS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 12V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Serie | DMP65H | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 41mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.73W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13.4nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 4.9mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 6mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 12V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Serie DMP65H | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 41mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.73W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13.4nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 4.9mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 6mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il DiodesZetex produce MOSFET progettati per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SO-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 600 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±30 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo. Ha un valore nominale BVDSS elevato per l'applicazione di potenza. Offre una bassa capacità di ingresso
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