MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 12 V, 41 mΩ Miglioramento, 10.7 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Codice RS:
246-6889
Codice costruttore:
DMT68M8LSS-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

10.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.73W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.45mm

Lunghezza

4.9mm

Larghezza

3.85 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SO-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha una temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 60 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V Offre una bassa resistenza in stato attivo Ha una bassa tensione soglia di gate Offre un gate con protezione ESD

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