MOSFET DiodesZetex, canale P, 60 mΩ, 5,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 146-4665
Codice costruttore:: DMPH6050SSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 60 mΩ, 5,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,411 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,411 €	1.027,50 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 146-4665
Codice costruttore:: DMPH6050SSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

DMPH6050SSD, 60V +175°C Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	5,2 A
Tensione massima drain source	60 V
Serie	DMP
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	60 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,5 W
Tensione massima gate source	±20 V
Carica gate tipica @ Vgs	30,6 a 10 V nC
Larghezza	3.95mm
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	4.95mm
Altezza	1.5mm
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale P, 60 mΩ, 5,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale P, Diodes Inc.

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