Codice costruttore

MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N, Tipo P, 0.25 Ω, 3.1 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Codice RS:: 246-6781
Codice costruttore:: DMHC6070LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N, Tipo P, 0.25 Ω, 3.1 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1425,00 €

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2500 +	0,57 €	1.425,00 €

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Codice RS:: 246-6781
Codice costruttore:: DMHC6070LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	DiodesZetex
	Tipo di canale	Tipo N, Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	3.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	SOIC
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.25Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.6W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	11.5nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio DiodesZetex
	Tipo di canale Tipo N, Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 3.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package SOIC
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.25Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.6W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11.5nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - DMHC6070LSD-13

Il modello DiodesZetex è un MOSFET H-Bridge complementare di nuova generazione, dotato di bassa resistenza in stato attivo ottenibile con azionamento gate basso. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SO-8. Offre una commutazione rapida e una bassa capacità di ingresso. Ha una temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 60 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V 2 canali N e 2 canali P in un contenitore SOIC. Offre una bassa resistenza in stato attivo

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