MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N, Tipo P, 0.25 Ω 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin DMHC6070LSD-13

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
246-7504
Codice costruttore:
DMHC6070LSD-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.25Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.5nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il modello DiodesZetex è un MOSFET H-Bridge complementare di nuova generazione, dotato di bassa resistenza in stato attivo ottenibile con azionamento gate basso. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SO-8. Offre una commutazione rapida e una bassa capacità di ingresso. Ha una temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 60 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V 2 canali N e 2 canali P in un contenitore SOIC. Offre una bassa resistenza in stato attivo

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