MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N, Tipo P, 0.06 Ω 40 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin DMC4050SSDQ-13

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
246-7501
Codice costruttore:
DMC4050SSDQ-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.06Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37.56nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.14W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il DiodesZetex è progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SO-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha una temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.

La tensione massima da drain a sorgente è di 40 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V La sua bassa RDS(ON) aiuta a ridurre al minimo le perdite di potenza La sua bassa Qg aiuta a ridurre al minimo le perdite di commutazione

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