MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 0.06 Ω, 4,2 A, 5,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Il DiodesZetex è progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SO-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha una temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.

La tensione massima da drain a sorgente è di 40 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V La sua bassa RDS(ON) aiuta a ridurre al minimo le perdite di potenza La sua bassa Qg aiuta a ridurre al minimo le perdite di commutazione