MOSFET DiodesZetex, canale N, 28 mΩ, 11,9 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 146-0596
Codice costruttore:: DMT6016LSS-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 28 mΩ, 11,9 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)

0,212 €

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0,259 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,212 €	530,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 146-0596
Codice costruttore:: DMT6016LSS-13
Costruttore:: DiodesZetex

DMT6016LSS, 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	11,9 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	28 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.95mm
Carica gate tipica @ Vgs	17 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	4.95mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 28 mΩ, 11,9 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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