MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 28 mΩ Miglioramento, 11.9 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
146-0596
Codice costruttore:
DMT6016LSS-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

DMT6016LSS

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

28mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Tensione diretta Vf

0.7V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.5mm

Lunghezza

4.95mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.95 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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