4 MOSFET DiodesZetex Full Bridge, canale Tipo P, Tipo N, 80 mΩ, 7.8 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

872,50 €

(IVA esclusa)

1065,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 22.500 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,349 €872,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
122-3273
Codice costruttore:
DMHC3025LSD-13
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.4nC

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione diretta Vf

0.7V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Full Bridge

Altezza

1.5mm

Lunghezza

4.95mm

Standard/Approvazioni

UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020

Larghezza

3.95 mm

Numero elementi per chip

4

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


Link consigliati