4 MOSFET DiodesZetex Full Bridge, canale Tipo P, Tipo N, 1.45 mΩ, 850 mA 100 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
751-5332
Codice costruttore:
ZXMHC10A07N8TC
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

850mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.36W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.95V

Minima temperatura operativa

150°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.9nC

Configurazione transistor

Full Bridge

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Numero elementi per chip

4

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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