Codice costruttore

4 MOSFET DiodesZetex Full Bridge, canale Tipo P, Tipo N, 1.45 mΩ, 850 mA 100 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Codice RS:: 751-5332
Codice costruttore:: ZXMHC10A07N8TC
Costruttore:: DiodesZetex

4 MOSFET DiodesZetex Full Bridge, canale Tipo P, Tipo N, 1.45 mΩ, 850 mA 100 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Sconto per quantità disponibile

Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

5,91 €

(IVA esclusa)

7,21 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 27 gennaio 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 45	1,182 €	5,91 €
50 +	1,018 €	5,09 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 751-5332
Codice costruttore:: ZXMHC10A07N8TC
Costruttore:: DiodesZetex

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	DiodesZetex
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P, Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	850mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	SOIC
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.45mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	2.9nC
	Tensione diretta Vf	950mV
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.36W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Configurazione transistor	Full Bridge
	Temperatura massima di funzionamento	+150°C
	Lunghezza	5mm
	Altezza	1.5mm
	Standard/Approvazioni	RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	Larghezza	4mm
	Numero elementi per chip	4
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio DiodesZetex
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P, Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 850mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package SOIC
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.45mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2.9nC
	Tensione diretta Vf 950mV
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.36W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Configurazione transistor Full Bridge
	Temperatura massima di funzionamento +150°C
	Lunghezza 5mm
	Altezza 1.5mm
	Standard/Approvazioni RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	Larghezza 4mm
	Numero elementi per chip 4
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.

Transistor MOSFET, Diodes Inc.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.