MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 1,45 Ω, 900 mΩ, 1 A, 850 mA, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 751-5332
Codice costruttore:: ZXMHC10A07N8TC
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 1,45 Ω, 900 mΩ, 1 A, 850 mA, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 751-5332
Codice costruttore:: ZXMHC10A07N8TC
Costruttore:: DiodesZetex

100V SO8 Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	1 A, 850 mA
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	1,45 Ω, 900 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	1,36 W
Configurazione transistor	Full bridge
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	4
Carica gate tipica @ Vgs	2,9 nC a 10 V, 3,5 nC a 50 V
Larghezza	4mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	5mm
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 1,45 Ω, 900 mΩ, 1 A, 850 mA, SOIC, Montaggio superficiale

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Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.

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