4 MOSFET di potenza DiodesZetex Full Bridge, canale Tipo N, Tipo P, 350 mΩ, 1.8 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento,

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
751-5348
Codice costruttore:
ZXMHC6A07N8TC
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

1.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

350mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.2nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.36W

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Full Bridge

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202

Altezza

1.5mm

Numero elementi per chip

4

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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