MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 350 mΩ, 1,4 A, 1,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 751-5348
Codice costruttore:: ZXMHC6A07N8TC
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 350 mΩ, 1,4 A, 1,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 751-5348
Codice costruttore:: ZXMHC6A07N8TC
Costruttore:: DiodesZetex

60V SO8 Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	1,4 A, 1,8 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	350 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	1,36 W
Configurazione transistor	Full bridge
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4mm
Carica gate tipica @ Vgs	3,2 nC a 10 V, 5,1 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	4
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 350 mΩ, 1,4 A, 1,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.

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