4 MOSFET di potenza DiodesZetex Full Bridge, canale Tipo P, Tipo N, 330 mΩ, 3.1 A 30 V, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
823-1877
Codice costruttore:
ZXMHC3A01T8TA
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

3.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

330mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.9nC

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Tensione diretta Vf

0.95V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Configurazione transistor

Full Bridge

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Larghezza

3.7 mm

Standard/Approvazioni

MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020

Lunghezza

6.7mm

Altezza

1.6mm

Numero elementi per chip

4

Standard automobilistico

No

Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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