4 MOSFET di potenza DiodesZetex Full Bridge, canale Tipo P, Tipo N, 330 mΩ, 3.1 A 30 V, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 823-1877
- Codice costruttore:
- ZXMHC3A01T8TA
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
7,92 €
(IVA esclusa)
9,66 €
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | 1,584 € | 7,92 € |
| 15 - 45 | 1,426 € | 7,13 € |
| 50 + | 1,268 € | 6,34 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 823-1877
- Codice costruttore:
- ZXMHC3A01T8TA
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 330mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.7W | |
| Tensione diretta Vf | 950mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 3.9nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Configurazione transistor | Full Bridge | |
| Larghezza | 3.7mm | |
| Lunghezza | 6.7mm | |
| Altezza | 1.6mm | |
| Standard/Approvazioni | MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Numero elementi per chip | 4 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 330mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.7W | ||
Tensione diretta Vf 950mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.9nC | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Configurazione transistor Full Bridge | ||
Larghezza 3.7mm | ||
Lunghezza 6.7mm | ||
Altezza 1.6mm | ||
Standard/Approvazioni MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Numero elementi per chip 4 | ||
Standard automobilistico No | ||
Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
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