MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 1,8 A, 3,1 A, SM, Montaggio superficiale

Codice RS:: 823-1877
Codice costruttore:: ZXMHC3A01T8TA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 1,8 A, 3,1 A, SM, Montaggio superficiale

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5 - 10	1,596 €	7,98 €
15 - 45	1,426 €	7,13 €
50 - 245	1,264 €	6,32 €
250 - 495	1,094 €	5,47 €
500 +	0,95 €	4,75 €

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Codice RS:: 823-1877
Codice costruttore:: ZXMHC3A01T8TA
Costruttore:: DiodesZetex

Complementary 30v Enhancement Mode Mosfet H-Bridge Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	1,8 A, 3,1 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SM
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	180 mΩ, 330 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	1,7 W
Configurazione transistor	Full bridge
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	6.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	3,9 nC a 10 V, 5,2 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	3.7mm
Numero di elementi per chip	4
Altezza	1.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 180 mΩ, 330 mΩ, 1,8 A, 3,1 A, SM, Montaggio superficiale

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Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.

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