4 MOSFET di potenza DiodesZetex Full Bridge, canale Tipo N, Tipo P, 425 mΩ, 1.8 A 60 V, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
669-7461
Codice costruttore:
ZXMHC6A07T8TA
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

1.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

425mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.2nC

Tensione diretta Vf

0.85V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Minima temperatura operativa

150°C

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Full Bridge

Lunghezza

6.7mm

Altezza

1.6mm

Larghezza

3.7 mm

Standard/Approvazioni

J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Numero elementi per chip

4

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE

Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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