4 MOSFET di potenza DiodesZetex Full Bridge, canale Tipo N, Tipo P, 425 mΩ, 1.8 A 60 V, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 669-7461
- Codice costruttore:
- ZXMHC6A07T8TA
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 669-7461
- Codice costruttore:
- ZXMHC6A07T8TA
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 425mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.7W | |
| Tensione diretta Vf | 0.85V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 3.2nC | |
| Configurazione transistor | Full Bridge | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | |
| Altezza | 1.6mm | |
| Lunghezza | 6.7mm | |
| Numero elementi per chip | 4 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 425mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.7W | ||
Tensione diretta Vf 0.85V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.2nC | ||
Configurazione transistor Full Bridge | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | ||
Altezza 1.6mm | ||
Lunghezza 6.7mm | ||
Numero elementi per chip 4 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- DE
Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
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