MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 350 mΩ, 1,4 A, 1,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 169-0719
Codice costruttore:: ZXMHC6A07N8TC
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 350 mΩ, 1,4 A, 1,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,418 €

(IVA esclusa)

0,51 €

(IVA inclusa)

Verifica stock non disponibile - chiama per informazioni

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,418 €	1.045,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 169-0719
Codice costruttore:: ZXMHC6A07N8TC
Costruttore:: DiodesZetex

60V SO8 Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	1,4 A, 1,8 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	350 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	1,36 W
Configurazione transistor	Full bridge
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	3,2 nC a 10 V, 5,1 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	4
Lunghezza	5mm
Larghezza	4mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 350 mΩ, 1,4 A, 1,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.

Link consigliati