MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 300 mΩ, 425 mΩ, 1,8 A, 1,5 A, SM, Montaggio superficiale

Codice RS:: 922-7888
Codice costruttore:: ZXMHC6A07T8TA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 300 mΩ, 425 mΩ, 1,8 A, 1,5 A, SM, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 922-7888
Codice costruttore:: ZXMHC6A07T8TA
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	1,8 A, 1,5 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SM
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	300 mΩ, 425 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	1,7 W
Configurazione transistor	Full bridge
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	1,65 nC a 5 V, 2,4 nC a 5 V
Larghezza	3.7mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	4
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.6mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 300 mΩ, 425 mΩ, 1,8 A, 1,5 A, SM, Montaggio superficiale

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Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.

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