MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 1,45 Ω, 900 mΩ, 1 A, 850 mA, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 122-1421
Codice costruttore:: ZXMHC10A07N8TC
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 1,45 Ω, 900 mΩ, 1 A, 850 mA, SOIC, Montaggio superficiale

Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 24/06/2025.

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)

0,555 €

(IVA esclusa)

0,677 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per bobina*
2500 +	0,555 €	1.387,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 122-1421
Codice costruttore:: ZXMHC10A07N8TC
Costruttore:: DiodesZetex

Documentazione Tecnica

Normative

Paese di origine:: CN

Dettagli prodotto

Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.

Transistor MOSFET, Diodes Inc.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	1 A, 850 mA
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	1,45 Ω, 900 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	1,36 W
Configurazione transistor	Full bridge
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	4
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	2,9 nC a 10 V, 3,5 nC a 50 V
Larghezza	4mm
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C