4 MOSFET DiodesZetex Full Bridge, canale Tipo P, Tipo N, 1.45 mΩ, 850 mA 100 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 122-1421
- Codice costruttore:
- ZXMHC10A07N8TC
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,547 € | 1.367,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 122-1421
- Codice costruttore:
- ZXMHC10A07N8TC
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 850mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.45mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.36W | |
| Minima temperatura operativa | 150°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.95V | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Configurazione transistor | Full Bridge | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Numero elementi per chip | 4 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 850mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.45mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.36W | ||
Minima temperatura operativa 150°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Tensione diretta Vf 0.95V | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Configurazione transistor Full Bridge | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | ||
Altezza 1.5mm | ||
Numero elementi per chip 4 | ||
Standard automobilistico No | ||
Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
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