MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 40 mΩ, 80 mΩ, 2,5 A, 7,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 823-3211
Codice costruttore:: DMHC3025LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 40 mΩ, 80 mΩ, 2,5 A, 7,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 823-3211
Codice costruttore:: DMHC3025LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

30v Complementary Enhancement Mode Mosfet H-Bridge Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	2,5 A, 7,8 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	40 mΩ, 80 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	1,5 W
Configurazione transistor	Full bridge
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	3.95mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	4
Carica gate tipica @ Vgs	11,4 nC a 10 V, 11,7 nC a 10 V
Lunghezza	4.95mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 40 mΩ, 80 mΩ, 2,5 A, 7,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.