4 MOSFET DiodesZetex Full Bridge, canale Tipo P, Tipo N, 80 mΩ, 7.8 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
823-3211
Codice costruttore:
DMHC3025LSD-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

7.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.4nC

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5W

Tensione diretta Vf

0.7V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Full Bridge

Altezza

1.5mm

Larghezza

3.95 mm

Standard/Approvazioni

UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020

Lunghezza

4.95mm

Numero elementi per chip

4

Standard automobilistico

AEC-Q101

Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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