2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, 41 mΩ, 7.6 A 20 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

8,825 €

(IVA esclusa)

10,775 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 4950 unità in spedizione dal 31 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
25 +0,353 €8,83 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
823-3223
Codice costruttore:
DMN2041LSD-13
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

7.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.7V

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.2nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.16W

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Lunghezza

4.95mm

Standard/Approvazioni

MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0

Altezza

1.5mm

Larghezza

3.95 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


Link consigliati