MOSFET DiodesZetex, canale N, 41 mΩ, 7,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 823-3223
Codice costruttore:: DMN2041LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 41 mΩ, 7,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

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250 - 600	0,354 €	8,85 €
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Codice RS:: 823-3223
Codice costruttore:: DMN2041LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	7,6 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	41 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	1,16 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Numero di elementi per chip	2
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	15,6 nC a 10 V
Lunghezza	4.95mm
Larghezza	3.95mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 41 mΩ, 7,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.

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