2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale N, 100 mΩ, 4.1 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-0493
Codice costruttore:
DMN6070SSD-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

4.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

750mV

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Larghezza

3.95mm

Standard/Approvazioni

J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202

Altezza

1.5mm

Lunghezza

4.95mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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