MOSFET DiodesZetex, canale N, 97 mΩ, 4,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 823-4012
Codice costruttore:: DMN6066SSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 97 mΩ, 4,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 823-4012
Codice costruttore:: DMN6066SSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

60v Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4,4 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	97 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	2,14 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	10,3 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4mm
Numero di elementi per chip	2
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 97 mΩ, 4,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.

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