2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, 97 mΩ, 4.4 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
823-4012
Codice costruttore:
DMN6066SSD-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

97mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

150°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.14W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.89V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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