MOSFET onsemi, canale N, 177 mΩ, 3,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 759-9686
Codice costruttore:: FDS86106
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 177 mΩ, 3,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 759-9686
Codice costruttore:: FDS86106
Costruttore:: onsemi

FDS86106, PowerTrench 100V N-Channel MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,4 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOIC
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	177 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	3 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	5mm
Lunghezza	4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 177 mΩ, 3,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

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