Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 177 mΩ Miglioramento, 3.4 A, 8 Pin, SOIC, Superficie FDS86106

Codice RS:: 759-9686
Codice costruttore:: FDS86106
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 177 mΩ Miglioramento, 3.4 A, 8 Pin, SOIC, Superficie FDS86106

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Codice RS:: 759-9686
Codice costruttore:: FDS86106
Costruttore:: onsemi

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	3.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	SOIC
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	177mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	3nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Dissipazione di potenza massima Pd	5W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	5mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	4mm
	Altezza	1.5mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 3.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package SOIC
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 177mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Dissipazione di potenza massima Pd 5W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 5mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 4mm
	Altezza 1.5mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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