MOSFET onsemi, canale N, 12 mΩ, 10,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-2602
Codice costruttore:: FDS4480
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 12 mΩ, 10,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,356 €

(IVA esclusa)

0,434 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,356 €	890,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-2602
Codice costruttore:: FDS4480
Costruttore:: onsemi

Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	10,8 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	12 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +30 V
Lunghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4mm
Carica gate tipica @ Vgs	29 nC a 10 V
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 12 mΩ, 10,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor

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