- Codice RS:
- 124-1715
- Codice costruttore:
- FDS8858CZ
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)
0,355 €
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0,433 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Bobina* |
2500 + | 0,355 € | 887,50 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 124-1715
- Codice costruttore:
- FDS8858CZ
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET doppio a canale N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema. Tali dispositivi combinano una bassa carica di gate (Qg), una bassa carica di recupero inverso (Qrr) e un diodo integrato a recupero inverso graduale, che contribuisce a una rapida commutazione del raddrizzamento sincrono in alimentatori c.a./c.c..
I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello della generazione precedente.
Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.
I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello della generazione precedente.
Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N, P |
Corrente massima continuativa di drain | 7,3 A, 8,6 A |
Tensione massima drain source | 30 V |
Serie | PowerTrench |
Tipo di package | SOIC |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 8 |
Resistenza massima drain source | 17 mΩ, 21 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 1V |
Dissipazione di potenza massima | 1,6 W |
Configurazione transistor | Isolato |
Tensione massima gate source | -25 V, -20 V, +20 V, +25 V |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Carica gate tipica @ Vgs | 17 nC a 10 V, 33 nC a 10 V |
Lunghezza | 5mm |
Larghezza | 4mm |
Numero di elementi per chip | 2 |
Materiale del transistor | Si |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 1.5mm |
- Codice RS:
- 124-1715
- Codice costruttore:
- FDS8858CZ
- Costruttore:
- onsemi
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