Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 13 mΩ Miglioramento, 11 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Codice RS:: 166-2622
Codice costruttore:: FDS6690A
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 13 mΩ Miglioramento, 11 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:: 166-2622
Codice costruttore:: FDS6690A
Costruttore:: onsemi

Specifiche

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	11A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Serie	PowerTrench
	Tipo di package	SOIC
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	13mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	0.7V
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.5W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	12nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	5mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	4mm
	Altezza	1.5mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 11A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Serie PowerTrench
	Tipo di package SOIC
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 0.7V
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 5mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 4mm
	Altezza 1.5mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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