MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 13 mΩ Miglioramento, 11 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

690,00 €

(IVA esclusa)

842,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2500 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,276 €690,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
166-2622
Codice costruttore:
FDS6690A
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.7V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati