MOSFET onsemi, canale N, 16 mΩ, 8,9 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-2600
Codice costruttore:: FDS3572
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 16 mΩ, 8,9 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 166-2600
Codice costruttore:: FDS3572
Costruttore:: onsemi

Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8,9 A
Tensione massima drain source	80 V
Tipo di package	SOIC
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	16 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	31 nC a 10 V
Lunghezza	5mm
Larghezza	4mm
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 16 mΩ, 8,9 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

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