2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 80 mΩ, 4 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
163-1128
Codice costruttore:
NTMD4N03R2G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione diretta Vf

0.82V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8nC

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
PH

MOSFET a canale doppio N, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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