2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 80 mΩ, 4 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 780-0674
- Codice costruttore:
- NTMD4N03R2G
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
7,04 €
(IVA esclusa)
8,59 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- Più 2450 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,704 € | 7,04 € |
| 100 - 240 | 0,607 € | 6,07 € |
| 250 - 490 | 0,527 € | 5,27 € |
| 500 - 990 | 0,462 € | 4,62 € |
| 1000 + | 0,421 € | 4,21 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 780-0674
- Codice costruttore:
- NTMD4N03R2G
- Costruttore:
- onsemi
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 80mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.82V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 80mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.82V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET a canale doppio N, ON Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semiconductor
Link consigliati
- 2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato 80 mΩ SOIC 8 Pin
- 2 MOSFET onsemi Tipo isolato 82 mΩ SOIC 8 Pin
- 2 MOSFET onsemi Tipo isolato 82 mΩ SOIC 8 Pin FDS3890
- 2 MOSFET onsemi Tipo isolato Tipo N 6.4 A 30 V Superficie Miglioramento, 8 Pin
- 2 MOSFET onsemi Tipo isolato Tipo N 6.4 A 30 V Superficie Miglioramento, 8 Pin FDS8958B
- 2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato Tipo P 3.9 A 30 V Superficie Miglioramento, 8
- 2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato 300 mΩ SOIC 8 Pin
- 2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato 23 mΩ SOIC 8 Pin