2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 23 mΩ, 7 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

475,00 €

(IVA esclusa)

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2500 +0,19 €475,00 €

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Codice RS:
166-2448
Codice costruttore:
FDS8984
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.2nC

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET doppio a canale N per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfetta conoscenza degli standard di qualità, sicurezza e affidabilità.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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