2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 23 mΩ, 7 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin FDS8984

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
671-0753
Codice costruttore:
FDS8984
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.2nC

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Lunghezza

5mm

Larghezza

4 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET doppio a canale N per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfetta conoscenza degli standard di qualità, sicurezza e affidabilità.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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