2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 190 mΩ, 3.9 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
772-8938
Codice costruttore:
SI4532DY
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

3.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Larghezza

4 mm

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata Fairchild. Questo processo ad altissima densità è stato ideato per ridurre al minimo le resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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