MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 80 V, 8.9 mΩ Miglioramento, 67 A, 8 Pin, PDFN56, Superficie TSM089N08LCR
- Codice RS:
- 216-9679
- Codice costruttore:
- TSM089N08LCR
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
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- Codice RS:
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- TSM089N08LCR
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- Taiwan Semiconductor
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 67A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 83W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 90nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 155°C | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Taiwan Semiconductor | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 67A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 83W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 90nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 155°C | ||
Lunghezza 6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.
Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg
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