MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 40 V, 2.5 mΩ Miglioramento, 644 A, 8 Pin, PDFN56 TSM025NB04CR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
216-9648
Codice costruttore:
TSM025NB04CR
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
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Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

644A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TSM025

Tipo di package

PDFN56

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

77nC

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

107W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Lunghezza

6mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg

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