MOSFET Taiwan Semiconductor, 2,5 m.Ω, 644 A, PDFN56
- Codice RS:
- 216-9647
- Codice costruttore:
- TSM025NB04CR
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
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Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)
1,874 €
(IVA esclusa)
2,286 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Bobina* |
| 2500 + | 1,874 € | 4.685,00 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 216-9647
- Codice costruttore:
- TSM025NB04CR
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.
Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Corrente massima continuativa di drain | 644 A |
| Tensione massima drain source | 40 V |
| Serie | TSM025 |
| Tipo di package | PDFN56 |
| Numero pin | 8 |
| Resistenza massima drain source | 2,5 m.Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 4V |
- Codice RS:
- 216-9647
- Codice costruttore:
- TSM025NB04CR
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
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