MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 40 V, 2.5 mΩ Miglioramento, 161 A, 8 Pin, PDFN56 TSM025NB04LCR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
216-9650
Codice costruttore:
TSM025NB04LCR
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
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Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

161A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TSM025

Tipo di package

PDFN56

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

135W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

112nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Lunghezza

6mm

Larghezza

3.81mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Standard automobilistico

No

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg

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