MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 40 V, 2.5 mΩ Miglioramento, 161 A, 8 Pin, PDFN56 TSM025NB04LCR
- Codice RS:
- 216-9650
- Codice costruttore:
- TSM025NB04LCR
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
31,67 €
(IVA esclusa)
38,64 €
(IVA inclusa)
Aggiungi 20 unità per ottenere la consegna gratuita
Ultimi pezzi su RS
- 6660 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 3,167 € | 31,67 € |
| 50 - 90 | 3,103 € | 31,03 € |
| 100 - 240 | 2,846 € | 28,46 € |
| 250 - 990 | 2,79 € | 27,90 € |
| 1000 + | 2,593 € | 25,93 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 216-9650
- Codice costruttore:
- TSM025NB04LCR
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 161A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | TSM025 | |
| Tipo di package | PDFN56 | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 112nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 135W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 3.81 mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard/Approvazioni | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Taiwan Semiconductor | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 161A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie TSM025 | ||
Tipo di package PDFN56 | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 112nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 135W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 3.81 mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Lunghezza 6mm | ||
Standard automobilistico No | ||
I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.
Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg
Link consigliati
- MOSFET Taiwan Semiconductor 2.5 mΩ Miglioramento 8 Pin, PDFN56
- MOSFET Taiwan Semiconductor 2.5 mΩ Miglioramento 8 Pin, PDFN56
- MOSFET Taiwan Semiconductor 2.5 mΩ Miglioramento 8 Pin, PDFN56 TSM025NB04CR
- MOSFET Taiwan Semiconductor 38 A, PDFN56
- MOSFET Taiwan Semiconductor 27 A, PDFN56
- MOSFET Taiwan Semiconductor 16 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Taiwan Semiconductor 8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Taiwan Semiconductor 4.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie