MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 40 V, 11 mΩ Miglioramento, 51 A, 8 Pin, PDFN56, Superficie
- Codice RS:
- 216-9684
- Codice costruttore:
- TSM110NB04LCR
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,474 € | 1.185,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 216-9684
- Codice costruttore:
- TSM110NB04LCR
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 51A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | TSM025 | |
| Tipo di package | PDFN56 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 11mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 68W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.2mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS/WEEE | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Taiwan Semiconductor | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 51A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie TSM025 | ||
Tipo di package PDFN56 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 11mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 68W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 23nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.2mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS/WEEE | ||
Standard automobilistico No | ||
I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.
Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg
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