MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 60 V, 13 mΩ Miglioramento, 51 A, 8 Pin, PDFN56, Superficie TSM130NB06LCR

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

37,60 €

(IVA esclusa)

45,875 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In uscita dal catalogo
  • 4975 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 251,504 €37,60 €
50 - 751,475 €36,88 €
100 - 2251,353 €33,83 €
250 - 9751,328 €33,20 €
1000 +1,231 €30,78 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
216-9689
Codice costruttore:
TSM130NB06LCR
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

51A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PDFN56

Serie

TSM025

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.2mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

5.2 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg

Link consigliati