MOSFET Taiwan Semiconductor, canale N 40 V, 11 mΩ Miglioramento, 48 A, 8 Pin, PDFN56, Superficie TSM110NB04DCR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
216-9683
Codice costruttore:
TSM110NB04DCR
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
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Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

48A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PDFN56

Serie

TSM025

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.2mm

Lunghezza

6.2mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg

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