MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 40 V, 11 mΩ Miglioramento, 54 A, 8 Pin, PDFN56, Superficie TSM110NB04CR

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

27,925 €

(IVA esclusa)

34,075 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 3325 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 251,117 €27,93 €
50 - 751,096 €27,40 €
100 - 2251,006 €25,15 €
250 - 9750,987 €24,68 €
1000 +0,917 €22,93 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
216-9681
Codice costruttore:
TSM110NB04CR
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

54A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PDFN56

Serie

TSM025

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.2 mm

Lunghezza

6.2mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW
I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg

Link consigliati