Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 135 V, 3.1 mΩ Miglioramento, 207 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Superficie

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Codice RS:
349-405
Codice costruttore:
IPF031N13NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

207A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

135V

Tipo di package

PG-TO263-7

Serie

IPF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

294W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

104nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, Pb-free lead plating, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 120 V è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il dispositivo presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza complessiva. Con un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), offre prestazioni di commutazione superiori. Il dispositivo presenta inoltre una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, che garantisce un funzionamento efficiente.

Dispositivo ottimizzato per gli azionamenti dei motori e le applicazioni a batteria

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020

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