Transistor di potenza Infineon, canale N 135 V, 3.1 mΩ Miglioramento, 207 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Superficie

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Codice RS:
349-405
Codice costruttore:
IPF031N13NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

207A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

135V

Serie

IPF

Tipo di package

PG-TO263-7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

104nC

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

294W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, Pb-free lead plating, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 120 V è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il dispositivo presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza complessiva. Con un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), offre prestazioni di commutazione superiori. Il dispositivo presenta inoltre una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, che garantisce un funzionamento efficiente.

Dispositivo ottimizzato per gli azionamenti dei motori e le applicazioni a batteria

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020

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