Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 120 V, 1.9 mΩ Miglioramento, 254 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Superficie

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Codice RS:
349-402
Codice costruttore:
IPF019N12NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

254A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Tipo di package

PG-TO263-7

Serie

IPF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

395W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

113nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 120 V è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il dispositivo presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza complessiva. Con un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), offre prestazioni di commutazione superiori. Il dispositivo presenta inoltre una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, che garantisce un funzionamento efficiente.

Prodotto ottimizzato per commutazione ad alta frequenza

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020

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