MOSFET Nexperia, canale Tipo N 60 V, 7 mΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-263, Superficie PSMN4R6-60BS,118

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
798-2987
Codice costruttore:
PSMN4R6-60BS,118
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

211W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70.8nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

11 mm

Altezza

4.5mm

Lunghezza

10.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia


Transistor MOSFET, NXP Semiconductors


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