MOSFET Nexperia, canale Tipo N 60 V, 3.1 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie PSMN1R7-60BS,118

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
798-2921
Codice costruttore:
PSMN1R7-60BS,118
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

137nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

306W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

11 mm

Lunghezza

10.3mm

Altezza

4.5mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia


Transistor MOSFET, NXP Semiconductors


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