MOSFET Nexperia, canale N, 5,8 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 798-2968
Codice costruttore:: PSMN4R3-30BL,118
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 5,8 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Confronta

Codice RS:: 798-2968
Codice costruttore:: PSMN4R3-30BL,118
Costruttore:: Nexperia

PSMN4R3-30BL, N-channel 30V, 4.1mΩ logic level MOSFET in D2PAK Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	5,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.15V
Tensione di soglia gate minima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	103 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	41,5 nC a 10 V
Larghezza	11mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	4.5mm

MOSFET Nexperia, canale N, 5,8 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, fino a 30 V.

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