MOSFET Nexperia, canale N, 6,5 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 798-2974
Codice costruttore:: PSMN4R5-40BS,118
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 6,5 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 798-2974
Codice costruttore:: PSMN4R5-40BS,118
Costruttore:: Nexperia

PSMN4R5-40BS, N-channel 40V, 4.5mΩ standard level MOSFET in D2PAK Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	6,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	148 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	11mm
Carica gate tipica @ Vgs	42,3 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.3mm
Altezza	4.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale N, 6,5 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 40 V a 55 V.

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