MOSFET Nexperia, canale Tipo N 1200 V, 60 mΩ Miglioramento, 38.27 A, 7 Pin, TO-263, Superficie NSF060120D7A0J

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-446
Codice costruttore:
NSF060120D7A0J
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

38.27A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO-263

Serie

NSF060120D7A0

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

57nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza Nexperia SiC è disponibile in un compatto contenitore plastico TO-263 a 7 pin per il montaggio superficiale su PCB. L'eccellente stabilità in temperatura RDS(on) e la rapida velocità di commutazione lo rendono ideale per le applicazioni industriali ad alta potenza e alta tensione, tra cui le infrastrutture di ricarica dei veicoli elettrici, gli inverter fotovoltaici e gli azionamenti dei motori.

Recupero rapido dell'inversione

Velocità di commutazione rapida

Perdite di commutazione per spegnimento indipendenti dalla temperatura

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

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