MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 40 mΩ Miglioramento, 60 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
202-5689
Codice costruttore:
NTBG040N120SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

NTB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

357W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

106nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

3.7V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.2mm

Larghezza

4.7 mm

Altezza

15.7mm

Standard automobilistico

No

Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK?7L


Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 60 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in gruppi di continuità, convertitore c.c./c.c., inverter boost.

Resistenza all'accensione da drain a source 40mO

Carica di gate ultra bassa

Testato con effetto valanga al 100%

Senza piombo

Conformità RoHS

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