MOSFET e diodo onsemi, canale Tipo N 1200 V, 225 mΩ Miglioramento, 19.5 A, 7 Pin, TO-263, Superficie NTBG160N120SC1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
205-2494
Codice costruttore:
NTBG160N120SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

19.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO-263

Serie

NTB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

225mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

3.9V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33.8nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

15.1mm

Altezza

4.3mm

Standard/Approvazioni

Pb-Free, RoHS

Larghezza

9.7 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, MOSFET in carburo di silicio (SiC) D2PAK-7L - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L


Il MOSFET 1200V a canale N SiC ON Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza IN STATO ATTIVO e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una carica di gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza di funzionamento più faster, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

Corrente nominale di drain continua di 19,5 A.

Il valore nominale della resistenza all'accensione drain-source è 224mohm

Carica di gate estremamente bassa

Commutazione ad alta velocità e bassa capacità

Testato al 100% con effetto valanga

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