Transistor MOSFET + diodo onsemi, canale N, 225 mΩ, 19,5 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 205-2494
- Codice costruttore:
- NTBG160N120SC1
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 5
8,746 €
(IVA esclusa)
10,67 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 5 - 5 | 8,746 € | 43,73 € |
| 10 - 95 | 7,54 € | 37,70 € |
| 100 - 245 | 6,246 € | 31,23 € |
| 250 - 495 | 5,886 € | 29,43 € |
| 500 + | 5,50 € | 27,50 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 205-2494
- Codice costruttore:
- NTBG160N120SC1
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, MOSFET in carburo di silicio (SiC) D2PAK-7L - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L
Il MOSFET 1200V a canale N SiC ON Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza IN STATO ATTIVO e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una carica di gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza di funzionamento più faster, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.
Corrente nominale di drain continua di 19,5 A.
Il valore nominale della resistenza all'accensione drain-source è 224mohm
Carica di gate estremamente bassa
Commutazione ad alta velocità e bassa capacità
Testato al 100% con effetto valanga
Il valore nominale della resistenza all'accensione drain-source è 224mohm
Carica di gate estremamente bassa
Commutazione ad alta velocità e bassa capacità
Testato al 100% con effetto valanga
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 19,5 A |
| Tensione massima drain source | 1200 V |
| Serie | NTB |
| Tipo di package | D2PAK (TO-263) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 7 |
| Resistenza massima drain source | 225 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 4.3V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Materiale del transistor | Si |
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