MOSFET e diodo onsemi, canale N 1200 V, 225 mΩ Miglioramento, 19.5 A, 7 Pin, TO-263, Superficie NTBG160N120SC1
- Codice RS:
- 205-2494
- Codice costruttore:
- NTBG160N120SC1
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 205-2494
- Codice costruttore:
- NTBG160N120SC1
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 19.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | NTB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 225mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 33.8nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 3.9V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 136W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 9.7mm | |
| Standard/Approvazioni | Pb-Free, RoHS | |
| Lunghezza | 15.1mm | |
| Altezza | 4.3mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Massima corrente di scarico continua Id 19.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie NTB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 225mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 33.8nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 3.9V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 136W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 9.7mm | ||
Standard/Approvazioni Pb-Free, RoHS | ||
Lunghezza 15.1mm | ||
Altezza 4.3mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, MOSFET in carburo di silicio (SiC) D2PAK-7L - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L
Il MOSFET 1200V a canale N SiC ON Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza IN STATO ATTIVO e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una carica di gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza di funzionamento più faster, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.
Corrente nominale di drain continua di 19,5 A.
Il valore nominale della resistenza all'accensione drain-source è 224mohm
Carica di gate estremamente bassa
Commutazione ad alta velocità e bassa capacità
Testato al 100% con effetto valanga