MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 110 mΩ Miglioramento, 30 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
205-2449
Codice costruttore:
NTBG080N120SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO-263

Serie

NTB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

3.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

15.1mm

Standard/Approvazioni

This Device is Pb-Free and is RoHS

Larghezza

9.7 mm

Altezza

4.3mm

Standard automobilistico

No

MOSFET in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, MOSFET in carburo di silicio (SiC) D2PAK-7L - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L


Il MOSFET a canale N (SiC) in carburo di silicio ON Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza IN STATO ATTIVO e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una carica di gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza di funzionamento più faster, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

Bassa resistenza in stato attivo tipo 80mohm

Elevata temperatura di giunzione

Carica di gate ultra bassa

Capacità di uscita effettiva bassa

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