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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	1200V
	Serie	NTB
	Tipo di package	TO-263
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	7
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	110mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	3.9V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	56nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	179W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	This Device is Pb-Free and is RoHS
	Lunghezza	15.1mm
	Altezza	4.3mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V
	Serie NTB
	Tipo di package TO-263
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 7
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 110mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 3.9V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 56nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 179W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni This Device is Pb-Free and is RoHS
	Lunghezza 15.1mm
	Altezza 4.3mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - NTBG080N120SC1

MOSFET in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, MOSFET in carburo di silicio (SiC) D2PAK-7L - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L

Il MOSFET a canale N (SiC) in carburo di silicio ON Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza IN STATO ATTIVO e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una carica di gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza di funzionamento più faster, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

Bassa resistenza in stato attivo tipo 80mohm

Elevata temperatura di giunzione

Carica di gate ultra bassa

Capacità di uscita effettiva bassa

MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 110 mΩ Miglioramento, 30 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

MOSFET in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, MOSFET in carburo di silicio (SiC) D2PAK-7L - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L

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