MOSFET onsemi, canale N, 110 mΩ, 30 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale N (SiC) in carburo di silicio ON Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza IN STATO ATTIVO e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una carica di gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza di funzionamento più faster, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

Bassa resistenza in stato attivo tipo 80mohm
Elevata temperatura di giunzione
Carica di gate ultra bassa
Capacità di uscita effettiva bassa